格力电器取得发明专利授权:“一种碳化硅功率二极管及其制备办法”
来源:米乐游戏怎么官方注册 发布时间:2025-05-06 17:10:38
证券之星音讯,依据天眼查APP多个方面数据显现格力电器(000651)新取得一项发明专利授权,专利名为“一种碳化硅功率二极管及其制备办法”,专利申请号为CN7.3,授权日为2025年5月2日。
专利摘要:本发明触及半导体器材技术领域,揭露了一种碳化硅功率二极管及其制备办法,该碳化硅功率二极管包含衬底、漂移层和榜首欧姆金属层,漂移层构成于衬底一侧的外表,漂移层远离衬底的外表具有有源区,有源区包含距离的多个榜首P+注入区和距离的多个第二P+注入区,各榜首P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深,且漂移层上各榜首P+注入区违背衬底的一侧均为豁口结构;榜首欧姆金属层与榜首P+注入区一一对应,各榜首欧姆金属层坐落对应的豁口结构中,并与对应的榜首P+注入区欧姆触摸。该碳化硅功率二极管及其制备办法可提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流才能。
今年以来格力电器新取得专利授权1959个,较去年同期减少了9.01%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研制方面投入了69.04亿元,同比增2.1%。
以上内容为证券之星据揭露信息收拾,由AI算法生成(网信算备240019号),不构成出资主张。
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专利摘要:本发明触及半导体器材技术领域,揭露了一种碳化硅功率二极管及其制备办法,该碳化硅功率二极管包含衬底、漂移层和榜首欧姆金属层,漂移层构成于衬底一侧的外表,漂移层远离衬底的外表具有有源区,有源区包含距离的多个榜首P+注入区和距离的多个第二P+注入区,各榜首P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深,且漂移层上各榜首P+注入区违背衬底的一侧均为豁口结构;榜首欧姆金属层与榜首P+注入区一一对应,各榜首欧姆金属层坐落对应的豁口结构中,并与对应的榜首P+注入区欧姆触摸。该碳化硅功率二极管及其制备办法可提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流才能。
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